三星的6nm、5nm、4nm工艺都是7nm改良：3nm弃用FinFET

7nm工艺的产品已经遍地开花，Intel的10nm处理器也终于在市场登陆，不过，对于晶圆巨头们来说，制程之战却越发胶着。

在日前一场技术交流活动中，三星重新修订了未来节点工艺的细节。

三星称，EUV后，他们将在3nm节点首发GAAMCFET（多桥通道FET）工艺。由于FinFET的限制，预计在5nm节点之后会被取代。

实际上，5nm在三星手中，也仅仅是7nmLPP的改良，可视为导入第二代EUV的一代。7nmLPP向后有三个迭代版本，分别是6nmLPP、5nmLPE和4nmLPE。

相较于年初的路线图，三星6LPP只是简单地引入SDB，从而提供了1.18倍的密度改进。另一个改变是删除4LPP节点，在路线图上只留下4LPE。最后，三星将3GAAE和3GAAP更名为3GAE和3GAP。

关于工艺核心指标，5nmLPE虽然沿用7nmLPP的晶体管和SRAM，但性能增强了11%，UHD下的密度会接近130MTr/mm，终于第一次超过了Intel10nm和台积电7nm。

在4nmLPE上（2021年推出），三星可以做到137MTr/mm的密度，接近台积电5nm。